La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTQ36N30P

IXTQ36N30P

MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
Número de pieza
IXTQ36N30P
Fabricante/Marca
Serie
PolarHT™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P
Disipación de energía (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
300V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
36A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 43480 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXTQ36N30P
IXTQ36N30P Componentes electrónicos
IXTQ36N30P Ventas
IXTQ36N30P Proveedor
IXTQ36N30P Distribuidor
IXTQ36N30P Tabla de datos
IXTQ36N30P Fotos
IXTQ36N30P Precio
IXTQ36N30P Oferta
IXTQ36N30P El precio más bajo
IXTQ36N30P Buscar
IXTQ36N30P Adquisitivo
IXTQ36N30P Chip