La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTQ69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P
Número de pieza
IXTQ69N30P
Fabricante/Marca
Serie
PolarHT™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P
Disipación de energía (máx.)
500W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
300V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
69A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4960pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 18058 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTQ69N30P
IXTQ69N30P Componentes electrónicos
IXTQ69N30P Ventas
IXTQ69N30P Proveedor
IXTQ69N30P Distribuidor
IXTQ69N30P Tabla de datos
IXTQ69N30P Fotos
IXTQ69N30P Precio
IXTQ69N30P Oferta
IXTQ69N30P El precio más bajo
IXTQ69N30P Buscar
IXTQ69N30P Adquisitivo
IXTQ69N30P Chip