La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTT26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
Número de pieza
IXTT26N60P
Fabricante/Marca
Serie
PolarHV™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
460W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
26A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4150pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 10902 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTT26N60P
IXTT26N60P Componentes electrónicos
IXTT26N60P Ventas
IXTT26N60P Proveedor
IXTT26N60P Distribuidor
IXTT26N60P Tabla de datos
IXTT26N60P Fotos
IXTT26N60P Precio
IXTT26N60P Oferta
IXTT26N60P El precio más bajo
IXTT26N60P Buscar
IXTT26N60P Adquisitivo
IXTT26N60P Chip