Comprar IXYS IXTV200N10T MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220

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IXTV200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220

Número de pieza

IXTV200N10T

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

TrenchMV™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3, Short Tab

Paquete de dispositivo del proveedor

PLUS220

Disipación de energía (máx.)

550W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

200A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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