La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
IC FLASH 6G DDR2
Número de pieza
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Estado de la pieza
Obsolete
Tecnología
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Suministro de voltaje
1.8V
Tipo de memoria
Non-Volatile
Tamaño de la memoria
4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Frecuencia de reloj
533MHz
Formato de memoria
FLASH, RAM
Tiempo de ciclo de escritura: Word, página
-
interfaz de memoria
Parallel
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a chen_hx1688@hotmail.com, le responderemos lo antes posible.
En stock 14945 PCS
Palabras clave deMT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Componentes electrónicos
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Ventas
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Proveedor
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Distribuidor
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Tabla de datos
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Fotos
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Precio
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Oferta
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E El precio más bajo
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Buscar
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Adquisitivo
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Chip