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2N6849U
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
Número de pieza
2N6849U
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
18-CLCC
Paquete de dispositivo del proveedor
18-ULCC (9.14x7.49)
Disipación de energía (máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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