Comprar Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G IGBT 1200V 69A 417W TO247

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

APT25GP120BDQ1G

IGBT 1200V 69A 417W TO247

Número de pieza

APT25GP120BDQ1G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Standard

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Potencia - Máx.

417W

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247 [B]

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Corriente - Colector (Ic) (Max)

69A

Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)

1200V

Tipo IGBT

Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Corriente - Colector Pulsado (Icm)

90A

Energía de conmutación

500µJ (on), 440µJ (off)

Cargo de puerta

110nC

Td (encendido/apagado) @ 25�C

12ns/70ns

Condición de prueba

600V, 25A, 5 Ohm, 15V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 45063 PCS

Información del contacto