Comprar Microsemi Corporation APT45GP120B2DQ2G IGBT 1200V 113A 625W TMAX

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APT45GP120B2DQ2G

IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Número de pieza

APT45GP120B2DQ2G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Standard

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3 Variant

Potencia - Máx.

625W

Paquete de dispositivo del proveedor

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Corriente - Colector (Ic) (Max)

113A

Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)

1200V

Tipo IGBT

Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Corriente - Colector Pulsado (Icm)

170A

Energía de conmutación

900µJ (on), 905µJ (off)

Cargo de puerta

185nC

Td (encendido/apagado) @ 25�C

18ns/100ns

Condición de prueba

600V, 45A, 5 Ohm, 15V

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