Comprar Microsemi Corporation APT5022BNG MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

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APT5022BNG

MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

Número de pieza

APT5022BNG

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247AD

Disipación de energía (máx.)

360W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

27A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

220 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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