Comprar Microsemi Corporation APT65GP60B2G IGBT 600V 100A 833W TMAX

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APT65GP60B2G

IGBT 600V 100A 833W TMAX

Número de pieza

APT65GP60B2G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Standard

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3 Variant

Potencia - Máx.

833W

Paquete de dispositivo del proveedor

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Corriente - Colector (Ic) (Max)

100A

Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)

600V

Tipo IGBT

Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 65A

Corriente - Colector Pulsado (Icm)

250A

Energía de conmutación

605µJ (on), 896µJ (off)

Cargo de puerta

210nC

Td (encendido/apagado) @ 25�C

30ns/91ns

Condición de prueba

400V, 65A, 5 Ohm, 15V

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