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BSP122,115
MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
Número de pieza
BSP122,115
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223
Disipación de energía (máx.)
1.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
550mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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