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PMCM6501VPEZ
MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
Número de pieza
PMCM6501VPEZ
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-XFBGA, WLCSP
Paquete de dispositivo del proveedor
6-WLCSP (1.48x.98)
Disipación de energía (máx.)
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
29.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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