Comprar Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115 MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

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Hojas de datos

PMFPB8032XP,115

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Número de pieza

PMFPB8032XP,115

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

DFN2020-6

Disipación de energía (máx.)

485mW (Ta), 6.25W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Schottky Diode (Isolated)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.7A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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