Comprar Nexperia USA Inc. PMK35EP,518 MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC

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Hojas de datos

PMK35EP,518

MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC

Número de pieza

PMK35EP,518

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

6.9W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

14.9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±25V

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