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PMPB215ENEAX
MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Número de pieza
PMPB215ENEAX
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
DFN2020MD-6
Disipación de energía (máx.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.9A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.7V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
215pF @ 40V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
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