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PMPB55ENEAX
MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD
Número de pieza
PMPB55ENEAX
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-DFN2020MD (2x2)
Disipación de energía (máx.)
1.65W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
56 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.7V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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