Comprar Nexperia USA Inc. PMV280ENEAR MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

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Hojas de datos

PMV280ENEAR

MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

Número de pieza

PMV280ENEAR

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236AB

Disipación de energía (máx.)

580mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

385 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.7V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 50V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

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