Comprar Nexperia USA Inc. PMV32UP,215 MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

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Hojas de datos

PMV32UP,215

MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Número de pieza

PMV32UP,215

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236AB (SOT23)

Disipación de energía (máx.)

510mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

950mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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