Comprar Nexperia USA Inc. PMV45EN2R MOSFET N-CH 30V SOT23

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Hojas de datos

PMV45EN2R

MOSFET N-CH 30V SOT23

Número de pieza

PMV45EN2R

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236AB (SOT23)

Disipación de energía (máx.)

510mW (Ta), 5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

209pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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