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PMV65UNEAR
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Número de pieza
PMV65UNEAR
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-236AB
Disipación de energía (máx.)
940mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
291pF @ 10V
Vgs (máx.)
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
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