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PMV65XPEAR
MOSFET P-CH 20V SOT23
Número de pieza
PMV65XPEAR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-236AB (SOT23)
Disipación de energía (máx.)
480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.25V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
618pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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