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PMZB370UNE,315

PMZB370UNE,315

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
Número de pieza
PMZB370UNE,315
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-XFDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
3-DFN1006B (0.6x1)
Disipación de energía (máx.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
900mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
490 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.05V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.16nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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