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PSMN013-80YS,115

PSMN013-80YS,115

MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
Número de pieza
PSMN013-80YS,115
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-100, SOT-669
Paquete de dispositivo del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Disipación de energía (máx.)
106W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
12.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2420pF @ 40V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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PSMN013-80YS,115 Componentes electrónicos
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