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PSMN2R0-25MLDX
PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
Número de pieza
PSMN2R0-25MLDX
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Paquete de dispositivo del proveedor
LFPAK33
Disipación de energía (máx.)
74W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Body)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
70A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.27 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2490pF @ 12V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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