Comprar Nexperia USA Inc. PSMN4R3-100ES,127 MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

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PSMN4R3-100ES,127

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

Número de pieza

PSMN4R3-100ES,127

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK

Disipación de energía (máx.)

338W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

120A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9900pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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