Comprar Nexperia USA Inc. PSMN6R3-120ESQ MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

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PSMN6R3-120ESQ

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Número de pieza

PSMN6R3-120ESQ

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK

Disipación de energía (máx.)

405W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

120V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

70A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

207.1nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11384pF @ 60V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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