Comprar Nexperia USA Inc. SI2304DS,215 MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

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Hojas de datos

SI2304DS,215

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

Número de pieza

SI2304DS,215

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236AB (SOT23)

Disipación de energía (máx.)

830mW (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

117 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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