Comprar NXP USA Inc. PMDPB56XN,115 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

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Hojas de datos

PMDPB56XN,115

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

Número de pieza

PMDPB56XN,115

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UDFN Exposed Pad

Potencia - Máx.

510mW

Paquete de dispositivo del proveedor

DFN2020-6

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.1A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

73 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 15V

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