Comprar NXP USA Inc. PSMN017-30LL,115 MOSFET N-CH QFN3333

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PSMN017-30LL,115

MOSFET N-CH QFN3333

Número de pieza

PSMN017-30LL,115

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-VDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

8-DFN3333 (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

37W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

15A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.15V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

526pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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