Comprar NXP USA Inc. PSMN4R6-100XS,127 MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F

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PSMN4R6-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F

Número de pieza

PSMN4R6-100XS,127

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220F

Disipación de energía (máx.)

63.8W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

70.4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9900pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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