Comprar ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

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2SK3666-3-TB-E

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Número de pieza

2SK3666-3-TB-E

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Potencia - Máx.

200mW

Paquete de dispositivo del proveedor

3-CP

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Tensión - Avería (V(BR)GSS)

Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Drenaje actual (Id) - Máx.

10mA

Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id

180mV @ 1µA

Resistencia - RDS (encendido)

200 Ohms

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