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ECH8601M-TL-H-P
MOSFET 2N-CH
Número de pieza
ECH8601M-TL-H-P
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
8-ECH
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
24V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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