ON Semiconductor
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FDFMA3P029Z
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FDFMA3P029Z

MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Número de pieza
FDFMA3P029Z
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-MicroFET (2x2)
Disipación de energía (máx.)
1.4W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
87 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±25V
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