ON Semiconductor
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FDMD8900
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FDMD8900

MOSFET 2N-CH 30V POWER
Número de pieza
FDMD8900
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
12-PowerWDFN
Potencia - Máx.
2.1W
Paquete de dispositivo del proveedor
12-Power3.3x5
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
19A, 17A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2605pF @ 15V
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