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FDZ391P
MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-XFBGA, WLCSP
Paquete de dispositivo del proveedor
6-WLCSP (1.0x1.5)
Disipación de energía (máx.)
1.9W (Ta)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1065pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
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