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FDZ3N513ZT
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Número de pieza
FDZ3N513ZT
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-UFBGA, WLCSP
Paquete de dispositivo del proveedor
4-WLCSP (1x1)
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Body)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.1A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
85pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
3.2V, 4.5V
Vgs (máx.)
+5.5V, -0.3V
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