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FQB4N90TM
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
Número de pieza
FQB4N90TM
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.2A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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