La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQB6N50TM
MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
Número de pieza
FQB6N50TM
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 33816 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQB6N50TM
FQB6N50TM Componentes electrónicos
FQB6N50TM Ventas
FQB6N50TM Proveedor
FQB6N50TM Distribuidor
FQB6N50TM Tabla de datos
FQB6N50TM Fotos
FQB6N50TM Precio
FQB6N50TM Oferta
FQB6N50TM El precio más bajo
FQB6N50TM Buscar
FQB6N50TM Adquisitivo
FQB6N50TM Chip