La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQI19N20TU
MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK
Número de pieza
FQI19N20TU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
19.4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 27275 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQI19N20TU
FQI19N20TU Componentes electrónicos
FQI19N20TU Ventas
FQI19N20TU Proveedor
FQI19N20TU Distribuidor
FQI19N20TU Tabla de datos
FQI19N20TU Fotos
FQI19N20TU Precio
FQI19N20TU Oferta
FQI19N20TU El precio más bajo
FQI19N20TU Buscar
FQI19N20TU Adquisitivo
FQI19N20TU Chip