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HUFA76609D3ST_F085
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HUFA76609D3ST_F085

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Número de pieza
HUFA76609D3ST_F085
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252AA
Disipación de energía (máx.)
49W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
425pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±16V
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