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MMFT960T1G
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
Número de pieza
MMFT960T1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223
Disipación de energía (máx.)
800mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
300mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
65pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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