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NTD23N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Número de pieza
NTD23N03RT4G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.76nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 5V
Vgs (máx.)
±20V
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