La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NTD5806NT4G
MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Número de pieza
NTD5806NT4G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
40W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
33A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 6291 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deNTD5806NT4G
NTD5806NT4G Componentes electrónicos
NTD5806NT4G Ventas
NTD5806NT4G Proveedor
NTD5806NT4G Distribuidor
NTD5806NT4G Tabla de datos
NTD5806NT4G Fotos
NTD5806NT4G Precio
NTD5806NT4G Oferta
NTD5806NT4G El precio más bajo
NTD5806NT4G Buscar
NTD5806NT4G Adquisitivo
NTD5806NT4G Chip