La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NTD60N02RT4G

NTD60N02RT4G

MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
Número de pieza
NTD60N02RT4G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 25786 PCS
Información del contacto
Palabras clave deNTD60N02RT4G
NTD60N02RT4G Componentes electrónicos
NTD60N02RT4G Ventas
NTD60N02RT4G Proveedor
NTD60N02RT4G Distribuidor
NTD60N02RT4G Tabla de datos
NTD60N02RT4G Fotos
NTD60N02RT4G Precio
NTD60N02RT4G Oferta
NTD60N02RT4G El precio más bajo
NTD60N02RT4G Buscar
NTD60N02RT4G Adquisitivo
NTD60N02RT4G Chip