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NTHD4N02FT1G
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Número de pieza
NTHD4N02FT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor
ChipFET™
Disipación de energía (máx.)
910mW (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.9A (Tj)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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