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NTHS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Número de pieza
NTHS2101PT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor
ChipFET™
Disipación de energía (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.4A (Tj)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 6.4V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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