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NTMFD4C86NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Número de pieza
NTMFD4C86NT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Potencia - Máx.
1.1W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.3A, 18.1A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1153pF @ 15V
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