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NTMFS4826NET1G
MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Número de pieza
NTMFS4826NET1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN, 5 Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Disipación de energía (máx.)
870mW (Ta), 41.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A (Ta), 66A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 12V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 11.5V
Vgs (máx.)
±20V
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