ON Semiconductor
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NTZD5110NT1G
Hojas de datos

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Número de pieza
NTZD5110NT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Potencia - Máx.
250mW
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-563
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
294mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
24.5pF @ 20V
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