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NVMFD5877NLT1G
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NVMFD5877NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Número de pieza
NVMFD5877NLT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Potencia - Máx.
3.2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
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